• haixin6@jzhxgs.com
  • မွန် - မနက် ၉ း ၀၀ နာရီမှညနေ ၅ း ၀၀ နာရီ

Silicon Titanium Carbide, Ti3SiC2

မင်္ဂလာပါကျွန်တော်တို့ရဲ့ထုတ်ကုန်များနှင့်တိုင်ပင်ရန်လာ!

Silicon Titanium Carbide, Ti3SiC2

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ သိပ္ပံပညာရှင်တစ် ဦး သည် ၃၂၀ အမျိုးအစားကြွေထည်အမျိုးအစားအသစ်တစ်ခုကိုဖန်တီးခဲ့သည်။ M3XZ2 အတွက်ယေဘုယျပုံသေနည်းတွင် M သည်အကူးအပြောင်းသတ္တု (Ti, V) ကဲ့သို့သောသို့မဟုတ်တစ်ခုအပါအ ၀ င်၊ X သည်တစ်ခုသို့မဟုတ်တစ်ခုထက်ပိုသည်။ အောက်ဖော်ပြပါအဓိကအုပ်စုတွင်ပါ ၀ င်သော III, IV အဓိကအုပ်စုအုပ်စုများဖြစ်သော (ထိုကဲ့သို့သော Al Ge Si ကဲ့သို့သော Z) သည် Z သည်သတ္တုမဟုတ်သောဒြပ်စင်တစ်ခု (CNB စသည်ဖြင့်) ဖြစ်သည်။


ကုန်ပစ္စည်းအသေးစိတ်

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

ကုန်ပစ္စည်းအမှတ်အသားများ

>> Prtoduct နိဒါန်း

COA

>> COA

COA

>> XRD

COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
COA
/b9ed22e0.png "/>
COA

>> အရွယ်အစားလက်မှတ်

COA

>> ဆက်စပ်သောဒေတာ

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ သိပ္ပံပညာရှင်တစ် ဦး သည် ၃၂၀ အမျိုးအစားကြွေထည်အမျိုးအစားအသစ်တစ်ခုကိုဖန်တီးခဲ့သည်။ M3XZ2 အတွက်ယေဘုယျပုံသေနည်းတွင် M သည်အကူးအပြောင်းသတ္တု (Ti, V) ကဲ့သို့သောသို့မဟုတ်တစ်ခုအပါအ ၀ င်၊ X သည်တစ်ခုသို့မဟုတ်တစ်ခုထက်ပိုသည်။ အောက်ပါအဓိကအုပ်စုတွင်ပါ ၀ င်သော III၊ IV အဓိကအုပ်စုအုပ်စုများဖြစ်သော (Al Ge Si ကဲ့သို့)၊ Z သည်သတ္တုမဟုတ်သောဒြပ်စင်များ (CNB ကဲ့သို့စသည်တို့) တွင်ပါဝင်ပြီး၊ ၃၂ ခုလေ့လာမှုတွင်လိင် ၃၂ မျိုးရှိသည်။ ဒြပ်ပေါင်းများ Ti3SiC2 အဓိက Ti3AlC2 Ti3GeC2 ဒြပ်ပေါင်းများသည်၎င်းတို့တွင်တူညီသောကျောက်သလင်းဖွဲ့စည်းပုံရှိကြသည်။ MMC အာကာသအုပ်စုတွင်တူညီသည်။ ၎င်းဒြပ်ပေါင်းများ၏ပုံမှန်အားဖြင့် Ti3SiC2 သည်အလွှာလိုက်သော Ti3SiC2 ကြွေထည်ပစ္စည်းတိုက်တေနီယမ်ဆီလီကွန်ကာဘိုက် Ti3SiC2 (တိုက်တေနီယမ် silicon carbide) သည်ပေါင်းစပ်သောကြွေထည်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်၏မြင့်မားသောအပူချိန်ဓာတ်တိုးနိုင်စွမ်းကိုခုခံနိုင်စွမ်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အပူကူးမှုနှင့်ပလတ်စတစ်ပစ္စည်းများဖွံ့ဖြိုးမှုအခွင့်အလမ်းများစသည့်သတ္တုပစ္စည်းများကဲ့သို့သောသတ္တုပစ္စည်းများသည်အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့်ကြောင့် အင်ဂျင်၏လိုအပ်ချက်များထက် fiber, whisker နှင့်လေကြောင်းကဲ့သို့သောအားဖြည့်ပေးသောအရာ၏စွမ်းဆောင်နိုင်မှု၊ ကြွေထည်ကြွေထည်ဖွဲ့စည်းမှုများသည်ပူနွေးသော spotBy fiber ဖြစ်လာသည်။ whisker သည်၎င်း၏မာကျောမှုအားပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်၊ ဤပြproblemနာကိုဖြေရှင်းရန်အတွက်အသုံးပြုရန်ခက်ခဲဆဲဖြစ်သည်။ သုတေသီများသည်မြင့်မားသောအပူချိန်ရှိသောသတ္တုနှင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏သဘောသဘာဝကိုစူးစမ်းလေ့လာခဲ့ကြသည်။ နောက်ဆုံးတွင် Ti-Si-C စနစ်တွင်တိုက်တေနီယမ် silicon carbide Ti3SiC2 (Ti3SiC2) တွင်ဝိသေသလက္ခဏာနှစ်ခုလုံးရှိသည်။ ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှုနှင့်လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှုတို့ဖြင့်အခန်းအပူချိန်တွင်သတ္တုစပ်မှု၊ အတော်အတန်နိမ့်သောနိမ့်ကျသောမာကျောမှုနှင့် elasticity ၏မြင့်မားသောကိန်းပကတိတန်ဖိုး၊ အခန်းအပူချိန်တွင်ပျံ့နှံ့နိုင်သောသတ္တုနှင့်ပလပ်စတစ်များကဲ့သို့အပူချိန်မြင့်မားစွာဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၎င်းသည်ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၊ အထွက်နှုန်းမြင့်မားမှု၊ မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်၊ မြင့်မားသောအပူတည်ငြိမ်မှုနှင့်ကောင်းမွန်သောဓာတ်တိုးနိုင်မှုတို့ပါဝင်သည်။ ၎င်းသည်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်မြင့်မားသောစွမ်းအားကိုထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။ ပို၍ အရေးကြီးသောအချက်မှာ၎င်းသည်ရိုးရာအစိုင်အခဲချောဆီထက်နိမ့်သောပွတ်တိုက်မှုစွမ်းရည်နှင့်ကောင်းမွန်သော Self-lubrication စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။
၂၀၀၅ ခုနှစ်ဒီဇင်ဘာလအစောပိုင်းတွင်ကျွန်ုပ်တို့၏တိုင်းပြည်ရှိသိပ္ပံနှင့်နည်းပညာ ၀ န်ကြီးဌာနကပြင်းထန်သောထုတ်ပြန်ကြေငြာချက်တစ်ခုကိုထုတ်ပြန်ခဲ့သည် - လွတ်လပ်သောအသိဥာဏ်ပစ္စည်းမူပိုင်ခွင့်အခွင့်အရေးများနှင့်အတူ၊ Ti3SiC2 သည်အမျိုးသား ၈၆၃ အစီအစဉ်တွင်မြန်နှုန်းမြင့်ရထား Pantograph slide အသစ်မျိုးဆက်သစ်၏စီးဆင်းနေသောကြွေထည်ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြစ်သည်။ နှစ်နှစ်ဆက်တိုက်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော Ti3SiC2, Ti3AlC2, Ti2SnC ကြွေအမှုန့်အမြောက်အများပေါင်းစပ်နည်းပညာ၊ စကိတ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအပြီးသတ်အောင်နိုင်နိုင်ခြင်းအားဖြင့်ပေကျင်း Jiaotong တက္ကသိုလ်ကိုယူနစ်စီမံကိန်းအတွက်ရန်ပုံငွေဖြင့်တည်ဆောက်ထားသည့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်သောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာနည်းပညာဆိုင်ရာအကြောင်းအရာများ။ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုလေ့လာခြင်း၊ ဤသုတေသနအဖွဲ့မှအောင်မြင်စွာတီထွင်ခဲ့သော Ti3SiC2 စီးရီးကြွေထည်စကိတ်များတွင်မြင့်မားသောစီးကူးမှု၊ သက်ရောက်မှုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပွန်းပဲ့ခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ arc ablation ခံနိုင်ရည်၊ ထိတွေ့မှုဝါယာကြိုးနိမ့်ခြင်းစသည်တို့နှင့်ကာဗွန်အခြေခံအားဖြင့်လျင်မြန်စွာပွန်းပဲ့ခြင်းကဲ့သို့သောပြsolvingနာများကိုထိရောက်စွာဖြေရှင်းနိုင်သည်။ အိမ်တွင်းနှင့်ပြည်ပတွင်အသုံးပြုသောအမှုန့်သတ္တုဓာတ်စကိတ်ပြားများ၊ အလွယ်တကူချိုးဖျက်နိုင်သည့်အပြင်၊ Ti3SiC2 ကြွေထည်မြေထည်စကိတ်များသည်ထိုနှစ်တွင်အောင်မြင်စွာတီထွင်ခဲ့သောကြောင့်တရုတ်နိုင်ငံရှိမြန်နှုန်းမြင့်ရထားလမ်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ္ played မှပါ ၀ င်ခဲ့သည်။ Ti3SiC2 အလွှာကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏အဓိကဂုဏ်သတ္တိများ
Ti3SiC2 သည်ကြွေထည်နှင့်သတ္တုများ၏ဂုဏ်သတ္တိများကိုပေါင်းစပ်ထားသည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသော elastic modulus၊ မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုသည်အလားတူကြွေထည်ဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုရောင်ပြန်ဟပ်သည်။ မြင့်မားသောစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသော elastic modulus၊ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားခြင်းနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုတို့သည် ၄ ​​င်း၏ကြွေထည်ဂုဏ်သတ္တိများကိုရောင်ပြန်ဟပ်သည်။
ဇယား ၁။ Ti3SiC2 ကြွေထည်များ၏အဓိကဂုဏ်သတ္တိများ (အခန်းအပူချိန်)
Ti3SiC2 ၏ပျက်စီးယိုယွင်းမှုကိုခုခံလေ့လာခြင်းကကြီးမားသော Pseudo- ပလပ်စတစ်ပျက်စီးမှုရှိသည်ကိုပြသည်
Ti3SiC2 ၏ထစ်အောက်မှာဇုန်။ အကြောင်းပြချက်မှာ Ti3SiC2 တွင်ထိတွေ့မှုပျက်စီးခြင်းများ၌များစွာသောစွမ်းအင်စုပ်ယူခြင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများရှိသည်။ ဥပမာ - ပျံ့နှံ့ခြင်း microcrack၊ အက်ကြောင်းပြခြင်း၊ စပါးထွက်ဆွဲခြင်း၊ ဘောဇဉ်ကွေးခြင်းစသည်တို့ဖြစ်သည်။ ထိုကဲ့သို့သောပစ္စည်းမျိုးသည်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာပစ္စည်း၊ လျှပ်စစ်ဖြီးပစ္စည်း၊ မိမိကိုယ်ကိုချောသောပစ္စည်း၊ အပူဖလှယ်ပစ္စည်းစသည်ဖြင့်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုရန်အလားအလာရှိသည်။ သို့သော်ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏မာကျောမှု၊ ၀ တ်ဆင်နိုင်မှုနှင့်အောက်ဆီဂျင်ဓာတ်တိုးနိုင်မှုတို့ကြောင့်ထိခိုက်လွယ်သောအခါမျိုးတွင်ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုဒဏ်ကိုခံနိုင်ခြင်း၊ Ti3SiC2 အလွှာကြွေထည်ပစ္စည်းများအသုံးပြုခြင်း
(၁) ဇီဝဆေးပညာဆိုင်ရာလျှောက်လွှာများ
သွားဘက်ဆိုင်ရာဆေးခန်းများတွင်ပါးစပ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင်အသုံးပြုသောပစ္စည်းများသို့မဟုတ်အစိတ်အပိုင်းများသည်ဓာတ်တိုးမှုကြောင့်ကြာရှည်သောကာလအတွင်းတည်ငြိမ်ပြီးဖြစ်ထွန်းစေနိုင်သည်။ Ti3SiC2 သည်ကြွေထည်နှင့်သတ္တုဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ကောင်းမွန်သောဇီ ၀ လိုက်လျောညီထွေမှုရှိခြင်းကြောင့်၎င်းသည်လူ့ခန္ဓာကိုယ်ထဲတွင်အသုံးပြုနိုင်သည်။ Ti3SiC2 ကိုချောဆီမပါဘဲတိကျသောအရွယ်အစားဖြင့်ချည်နှောင်နိုင်သည်။ သို့ဖြစ်သောကြောင့် stomatology တွင်လက်တွေ့အသုံးပြုရန် implants သို့မဟုတ် prosthetics သို့ပြုလုပ်နိုင်သည်။ Ti3SiC2 ၏ elastic modulus သည် zirconia (1.9 × 105MPa) ထက် enamel သို့မဟုတ် dentin နှင့်ပိုမိုနီးကပ်သည်။ ၎င်းတွင်အသုံးပြုရန်အတွက်အတွင်းပိုင်းသရဖူများကိုတင်ရန် (သို့) ကြွေပြားများတိုးမြှင့်နိုင်သည်။ Self3 ဖြန့်ဖြူးသောအပူချိန်မြင့်ပစ္စည်းများမှရရှိသော Ti3SiC2 ပစ္စည်းများသည်ပိုမိုလွယ်ကူစွာဖွဲ့စည်းရန်နှင့်ပေါင်းစည်းရန်လွယ်ကူသောတစ်ရှူးများပါ ၀ င်သည်။ ပွတ်တိုက်အားနိမ့်သည့်ကိန်းက slippage တိုးမြှင့်ခြင်းနှင့်ပွတ်တိုက်ခုခံမှုကိုလျှော့ချရန်သွားနှင့်မေးရိုးဆိုင်ရာဆေးခန်းများတွင်အသုံးပြုရန်ဖြစ်နိုင်သည်။
ချေးခြင်းနှင့်ဓါတ်တိုးခြင်းခံနိုင်ရည်အားဤပစ္စည်းအားပါးစပ်ပတ်ဝန်းကျင်နှင့်၎င်း၏တည်ငြိမ်မှုအတွက်အသုံးပြုရန်အတွက်အရေးကြီးသောအခြေအနေများဖြစ်သည်။ ဤပစ္စည်းနှင့်ကြွေအမှုန့်များသည်နှစ်မျိုးလုံးကြွေထည်ပစ္စည်းများဖြစ်သောကြောင့်သတ္တုနှင့်ကြွေထည်ထက်ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။ ထို့ကြောင့်, ဤပစ္စည်း၏လျှောက်လွှာအတိုင်းအတာကြွေအတွင်းပိုင်းပန်း ဦး ရစ်သရဖူကိုများအတွက်ပိုမိုကျယ်ပြန်ဖြစ်နိုင်သည်။
သို့သော်လက်ရှိလူသိများသော Ti3SiC2 ၏ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းတွင်စင်ကြယ်သော Ti3SiC2 လုပ်ကွက်များရရှိရန်ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကိုတိုးတက်အောင်ပြုလုပ်ရမည်၊ သို့မှသာပစ္စည်း၏ပိုမိုတိကျသောဂုဏ်သတ္တိများကိုနားလည်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။ ပစ္စည်း၏ဇီဝသဟဇာတနှင့်လက်တွေ့ဖြစ်နိုင်ခြေကိုအတည်ပြုရန်နောက်ထပ်ဓာတ်ခွဲခန်းနှင့်လက်တွေ့လေ့လာမှုများလိုအပ်သည်။
(၂) ဆန့်ကျင်ဘက်ပစ္စည်းများအတွက်အသုံးပြုခြင်းကြွေထည်လုပ်ငန်းတွင်လျင်မြန်စွာပစ်ခတ်ခြင်းနည်းပညာကိုလူသိများလာခြင်းနှင့်အတူမီးဖိုပရိဘောဂများအသုံးပြုမှုသံသရာမှာပိုမိုတိုတောင်းလာပြီးအသုံးပြုမှုအခြေအနေများသည်ပိုမိုတင်းကြပ်လာသည်။ ထို့ကြောင့်ကြွေထည်လုပ်ငန်းများတွင်လျင်မြန်စွာပစ်ခတ်နိုင်သည့်နည်းပညာ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းနိုင်ရန်အတွက်မီးဖိုများပရိဘောဂများ၏အပူထိတ်လန့်မှုဒဏ်ကိုစဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်အောင်ပြုလုပ်ရန်လိုအပ်သည်။
အဆင့်မြင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သောမီးဖိုချောင်သုံးပရိဘောဂများအနေဖြင့်ပစ်ခတ်သောထုတ်ကုန်များ၏အရည်အသွေးအပေါ်တွင်များစွာသြဇာသက်ရောက်သည်။ Ti3SiC2 ကြွေထည်များသည်အပူထိတ်လန့်မှုဒဏ်မှမခံစားနိုင်ပါ။ ၄ င်းတို့၏ထူးခြားသောအလွှာဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ရှိပလပ်စတစ်အပြုအမူများသည်အပူဖိအား၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလျော့ပါးစေသည်။
shock T = 1400 through မှတစ်ဆင့်ပစ္စည်းများအပူထိတွေ့မှုမှကျန်သောအစွမ်းသည် ၃၀၀MPa အထက်တွင်ရှိနေသေးပြီးအကောင်းဆုံးအပူစွမ်းအားဒဏ်ခံနိုင်မှုစွမ်းဆောင်ရည်သည်အပူချိန်ကွာခြားချက် 900 ℃ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် Ti3SiC2 ကြွေထည်များသည်ဓာတုဗေဒဒဏ်ခံနိုင်မှု၊ အလွယ်တကူပြုပြင်နိုင်ခြင်းနှင့်ကုန်ကြမ်းအတွက်ဆွေမျိုးကုန်ကျစရိတ်သက်သာခြင်းတို့၏အားသာချက်များရှိသည်။
COA
COA


  • ရှေ့သို့
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင်၏စာကိုဤနေရာတွင်ရေးပြီးကျွန်ုပ်တို့ထံပို့ပါ